YZPST-G900WB120B6TC
Módulo IGBT de 1200V 900A
N/P: YZPST-G900WB120B6TC
CARACTERÍSTICAS DEL PRODUCTO
CHIP IGBT (Trench+FS)
Baja tensión de saturación y coeficiente de temperatura positivo
Conmutación rápida y corriente de cola corta
Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
Sensor de temperatura incluido
APLICACIONES
Control de motor de CA
Control de movimiento/servomotor
Inversor y fuentes de alimentación
Fotovoltaica/Célula de combustible
Módulo IGBT de 1200V 900A
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
PRODUCTO CARACTERÍSTICAS
CHIP IGBT (Trench+FS)
Baja tensión de saturación y coeficiente de temperatura positivo
Conmutación rápida y corriente de cola corta
Diodos de rueda libre con recuperación rápida y suave
Sensor de temperatura incluido
APLICACIONES
Control de motor de CA
Control de movimiento/servo
Inversor y fuentes de alimentación
Fotovoltaico/Célula de combustible
IGBT-VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS( T C =25° C a menos que se indique lo contrario especificado )
| Símbolo | Parámetro/Condiciones de Prueba | Valores | Unidad | |
| VCES | Voltaje Colector Emisor | TJ=25℃ | 1200 | V |
| VGES | Voltaje del Emisor de la Puerta | \u00b120 | ||
| IC | Corriente del Colector en DC | TC=25u2103, TJmax =175u2103 | 880 | |
| TC=95u2103, TJmax =175u2103 | 900 | A | ||
| ICM | Corriente de Colector Pico Repetitiva | tp=1ms | 1200 | |
| Ptot | Disipación de Potencia Por IGBT | TC=25u2103, TJmax =175u2103 | 3125 | W |
Diodo-MÁXIMOS ABSOLUTOS RATINGS ( T C =25° C a menos que se indique lo contrario especificado )
| Símbolo | Parámetro/Condiciones de Prueba | Valores | Unidad | |
| VRRM | Voltaje Inverso Repetitivo | TJ=25℃ | 1200 | V |
| SI(AV) | Corriente Promedio Directa | 900 | A | |
| IFRM | Corriente Repetitiva Máxima Directa | tp=1ms | 1200 | |
| I2t | TJ =150℃, t=10ms, VR=0V | 45 | kA2s | |
Inversor IGBT
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS ( T C =25° C a menos que se indique lo contrario especificado )
| Símbolo | Parámetro/Condiciones de Prueba | Mín. | Tipo | Máx. | Unidad | ||
| VGE(th) | Voltaje Umbral de Emisor a Compuerta | VCE=VGE, IC=24mA | 5 | 5.8 | 6.5 | ||
| Colector Emisor | IC=900A, VGE=15V, TJ=25℃ | 1.9 | 2.3 | ||||
| VCE(sat) | Tensión de saturación | IC=900A, VGE=15V, TJ=125℃ | 2.2 | V | |||
| IC=900A, VGE=15V, TJ=150℃ | 2.25 | ||||||
| ICES | Corriente de Fuga del Colector | VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25℃ | 1 | mA | |||
| VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150℃ | 10 | ||||||
| IGES | Corriente de Fuga de la Puerta | VCE=0V,VGE=±20V, TJ=25℃ | -400 | 400 | nA | ||
| RGint | Integrated Gate Resistor | 0.7 | Ω | ||||
| Qg | Gate Charge | VCE=900V, IC=900A, VGE=15V | 3.1 | μC | |||
| Cies | Capacitancia de entrada | VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz | 43.2 | nF | |||
| Cres | Capacitancia de transferencia inversa | 2.07 | nF | ||||
| td(on) | Encender Tiempo de Retardo | VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω, | TJ=25℃ | 100 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 110 | ns | ||||
| tr | Tiempo de Subida | Carga Inductiva | TJ=25℃ | 85 | ns | ||
| TJ=150℃ | 95 | ns | |||||
| td(off) | Tiempo de apagado | VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω, | TJ=25℃ | 530 | ns | ||
| VGE=±15V, | TJ=150℃ | 580 | ns | ||||
| tf | Tiempo de caída | Carga Inductiva | TJ=25℃ | 65 | ns | ||
| TJ=150℃ | 215 | ns | |||||
| TJ=25℃ | 55 | mJ | |||||
| Eon | Encender Energía | TJ=125℃ | 85 | mJ | |||
| VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω, | TJ=150℃ | 95 | mJ | ||||
| VGE=±15V, | TJ=25℃ | 45 | mJ | ||||
| Eoff | Apagar Energía | Carga Inductiva | TJ=125℃ | 58 | mJ | ||
| TJ=150℃ | 63 | mJ | |||||
| ISC | Corriente de cortocircuito | tpsc≤10µs, VGE=15V | 2200 | A | |||
| TJ=150℃,VCC=800V | |||||||
| RthJC | Resistencia térmica de unión a carcasa (por IGBT) | 0.048 | K /W | ||||
Contorno del paquete
Productos Relacionados
