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SCR de 2 A, 600 V, TO-126 y alta tasa dv/dt
Consejo: incluya el número de pieza, el voltaje/corriente objetivo y el entorno de aplicación.
Descargas y archivos técnicos
2P4M 2A Sensibilidad SCR
DESCRIPCIÓN:
La serie SCR 2P4M de 2 A ofrece una alta tasa de dv/dt
con gran resistencia a las interferencias electromagnéticas.
Se recomiendan especialmente para su uso en
circuitos de disyuntores diferenciales, planchas, encendedores, etc.
PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:
símbolo | valor | unidad |
IT(RMS) | 2.0 | A |
IGT | ≤200 | μA |
VDRM/VRRM | 600 | V |
MÁXIMOS ABSOLUTOS VALORES NOMINALES:
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Almacenamiento rango de temperatura de unión | Tstg | -40~150 | ℃ |
Funcionamiento rango de temperatura de unión | Tj | -40~110 | ℃ |
Tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo (Tj=25℃) | VDRM | 600 | V |
Pico repetitivo tensión inversa de bloqueobloqueo (Tj=25℃) | VRRM | 600 | V |
Corriente eficaz en estado de conducción | IT(RMS) | 2 | A |
Sobretensión no repetitiva pico en estado ON corriente (ciclo completo, F=50Hz) | ITSM | 20 | A |
I2valor t para fusible (tp=10ms) | I2t | 2 | A2s |
Crítica tasa de aumento de la corriente en estado de conduccióncorriente de compuerta (IG=2 × IGT) | dI/dt | 50 | A/ μs |
Pico de compuerta current | IGM | 0.2 | A |
Compuerta media potencia disipada | PG(AV) | 0.1 | W |
Pico de compuerta potencia | PGM | 0.5 | W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj=25℃ salvo que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Valor | ||||
| Condición de prueba | MÍN | TIPO | MAX | Unidad | |
| IGT | VD=12V, RL=33Ω | - | 50 | 200 | μA |
| VGT | - | 0.6 | 0.8 | V | |
| VGD | VD=VDRM Tj=110℃ | 0.2 | - | - | V |
| IH | IT=50mA | - | - | 5 | mA |
| IL | IG=1.2IGT | - | - | 6 | mA |
| dV/dt | VD=2/3×VDRM Tj=110℃ RGK=1KΩ | 20 | - | - | V/ µs |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
| Símbolo | Condición de prueba | Valor | Unidad | ||
| VTM | ITM=4A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | VD=VDRM= VRRMRGK=1KΩ | Tj=25℃ | MAX | 5 | µA |
| IRRM | Tj=110℃ | 0.1 | mA | ||
ENCAPSULADO DATOS MECÁNICOS
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Dispositivos semiconductores de potencia, componentes de protección y soluciones industriales de alimentación eléctrica.
