YZPST-KPX1000A-1600V
Módulo de SCR ANTI-PARALELO ENSAMBLADO-KPX1000A-1600V
Características:
diseño difuso completo
altas capacidades de corriente
altas capacidades de corriente de sobretensión
altas tensiones de tasas
alto dv/dt
baja corriente de compuerta dinámica
baja impedancia térmica
tamaño compacto y peso pequeño
SOLICITUD
Control de alta potencia
Control de motor de CC
Fuentes de alimentación de alto voltaje
Bloqueo - Estado de apagado
| V RRM (1) | V DRM (1) | V RSM (1) |
| 1600 | 1600 | 1700 |
VRRM = Voltaje repetitivo pico inverso
VDRM = Voltaje repetitivo pico de apagado
VRSM = Voltaje pico inverso no repetitivo (2)
|
Fuga repetitiva pico inverso y fuga de estado apagado |
I RRM / I DRM |
10 A 100 A (3) |
|
Tasa crítica de aumento de voltaje |
dV/dt (4) |
10 00 V/ m seg |
Conducción - estado activo
|
Parámetro |
Símbolo |
Mín. |
Máx. |
Típ. |
Unidades |
Condiciones |
|
Máx. valor promedio de corriente en estado activo T(AV) |
I T(AV) |
|
1000 |
|
A |
Sinewave,180 o conduction,T c = 95 o C |
|
R Conducción - estado activo MS value of on-state current |
I TRMS M |
|
1570 |
|
A |
Valor nominal |
|
Pico de una sobretensión cPSTCle corriente (no repetitiva) |
I TSM |
|
-
30 |
|
k A
k A |
8.3 msec (60Hz), onda sinusoidal forma, 180 o conducción, T j = 125 o C 10.0 msec (50Hz), onda sinusoidal- forma, 180 o conducción, T j = 125 o C |
|
I cuadrado t |
I 2 t |
|
4500 x10 3 |
|
A 2 s |
10 ms |
|
Voltaje umbral |
V T(T0) |
|
0.928 |
|
V |
|
|
Resistencia de pendiente |
r T |
|
0.189 |
|
mΩ |
|
|
Corriente de retención |
I L |
|
2000 |
|
mA |
V D = 12 V; R L = 12 ohms |
|
Corriente de retención |
I H |
|
500 |
|
mA |
V D = 12 V pico; I = 2.5 A |
|
Voltaje pico en estado de conducción |
V TM |
|
1.75 |
|
V |
I TM = 3000 A (MAX); T j = 1 25 o C |
|
Tasa crítica de aumento del estado de conducción de corriente (5, 6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ m s |
Conmutación desde V DRM £ 1000 V, no repetitivo |
|
Tasa crítica de aumento del estado de conducción actual (6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ m s |
Conmutación desde V DRM £ 1000 V |
Gating
|
Parámetro |
Símbolo |
Mín. |
Máx. |
Típ. |
Unidades |
Condiciones |
|
Disipación pico de potencia de compuerta |
P GM |
|
30 |
|
W |
|
|
Disipación promedio de potencia en la compuerta |
P G(AV) |
|
4 |
|
W |
|
|
Corriente pico de compuerta |
I GM |
|
- |
|
A |
|
|
Corriente de compuerta requerida para disparar todas las unidades |
I GT |
|
300 |
|
mA |
V D = 10 V; I T =3A ;T j = +25 o C
|
|
Voltaje de compuerta requerido para activar todas las unidades
|
V GT |
|
3 |
|
V
|
V D = 10 V; I T =3A ;T j = +25 o C
|
|
Voltaje pico negativo |
V RG M |
|
5 |
|
V |
|
Para obtener más información sobre YZPST-KPX1000A-1600V por favor descargue el archivo PDF arriba llamado " Ensamble del módulo SCR antiparalelo -KPX1000A-1600V "