YZPST-M1A025120L
YZPST-M1A025120L
N-Canal SiC de Potencia MOSFET
Características
Alta Tensión de Bloqueo con Baja Resistencia en Conducción
Conmutación de Alta Velocidad con Baja Capacitancia
Fácil de Paralelizar y Sencillo de Conducir
Beneficios
Mayor Eficiencia del Sistema
Requisitos de Refrigeración Reducidos
Densidad de Potencia Incrementada
Frecuencia de Conmutación del Sistema Incrementada
Aplicaciones
Fuentes de Alimentación
Convertidores DC/DC de Alto Voltaje
Accionamientos de Motor
Fuentes de Alimentación de Modo Conmutado
Aplicaciones de Potencia Pulsada
YZPST-M 1 A 025120 L
N - Canal SiC Potencia MOSFET
Características
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Fácil de paralelizar y sencillo de conducir
Beneficios
Mayor eficiencia del sistema
Requisitos de refrigeración reducidos
Mayor densidad de potencia
Aumento de la frecuencia de conmutación del sistema
Aplicaciones
Fuentes de alimentación
Convertidores DC/DC de alto voltaje
Accionamientos de motor
Fuentes de alimentación de modo conmutado
Aplicaciones de potencia pulsada
Valores máximos (TC=25℃ a menos que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| VDSmax | Voltaje drenaje-fuente | 1200 | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGSmax | Voltaje compuerta-fuente | -0.4 | V | Valores máximos absolutos | |
| VGSop | Voltaje compuerta-fuente | -0.25 | V | Valores operativos recomendados | |
| ID | Corriente de drenaje continua | 65 | A | VGS=20V, Tc=25C | |
| 43 | VGS=20V, Tc=100C | ||||
| ID (pulso) | Corriente de drenaje pulsada | 200 | A | Ancho de pulso limitado por TJmax | |
| PD | Disipación de potencia | 370 | W | Tc=25C, TJ=150C | |
| TJ, TSTG | Operación, Conexión y Almacenamiento | -55 a +150 | C | ||
| Temperatura |
Características Eléctricas (TC=25C a menos que se especifique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| V(BR)DSS | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | 1200 | / | / | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGS(th) | Voltaje umbral de compuerta | 1.9 | 2.4 | 4 | V | VDS=VGS,ID=15mA | Fig.11 |
| / | 1.7 | / | VDS=VGS,ID=15mA,TJ=150C | ||||
| IDSS | Corriente de drenaje de voltaje cero | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V,VGS=0V | |
| IGSS+ | Corriente de fuga de compuerta a fuente | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=25V | |
| IGSS- | Corriente de fuga de compuerta a fuente | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=-10V | |
| RDS(on) | Resistencia de estado de encendido de drenaje-fuente | / | 25 | 34 | mΩ | VGS=20V,ID=50A | Fig. |
| / | 43 | / | VGS=20V,ID=50A,TJ=150C | 4,5,6 | |||
| Ciss | InputCapacitance | / | 4200 | / | VGS=0V | Fig. | |
| Coss | OutputCapacitance | / | 250 | / | pF | VDS=1000V | 15,16 |
| Crss | Capacidad de transferencia inversa | / | 16 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Energía almacenada Coss | / | 126 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | EncendidoApagadoEnergía | / | 1.8 | / | J | VDS=800V,VGS=-5V/20VID=50A,RG(ext)=2.5Ω,L=412μH | |
| EOFF | ApagadoEncendidoEnergía | / | 0.6 | / | |||
| td(on) | EncendidoRetardoTiempo | / | 15 | / | |||
| tr | Tiempo de subida | / | 12 | / | ns | VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=50ARG(ext)=2.5Ω,RL=16Ω | |
| td(off) | Tiempo de apagado | / | 34 | / | |||
| tf | Tiempo de caída | / | 7 | / | |||
| RG(int) | Resistencia interna de compuerta | / | 2.1 | / | Ω | f=1MHz,VAC=25mV | |
| GS | Carga de compuerta a fuente | / | 54 | / | VDS=800V | ||
| GD | Puerta a Drenaje de Carga | / | 29 | / | nC | VGS=-5V/20V | |
| G | Carga Total de Puerta | / | 195 | / | ID=50A |
Si tiene alguna otra consulta sobre productos similares de SiC, contáctenos ahora.
Le proporcionaremos nuestra lista completa de productos de SiC.
Productos Relacionados
