YZPST-MFC200-16
Características:
- Transferencia de calor a través de placa base metálica aislada de cerámica de nitruro de aluminio
- Uniones soldadas duras para alta fiabilidad
- Tiristor con compuerta amplificadora
Aplicaciones típicas:
- Control de motor de CC - Arrancadores suaves de motor de CA
- Control de temperatura
- Regulación profesional de la luz
YZPST-MFC200-16
MÓDULO DE TIRISTOR / DIODO
Características:
- Transferencia de calor a través de placa base metálica aislada de cerámica de nitruro de aluminio
- Uniones soldadas duras para alta fiabilidad
- Tiristor con compuerta amplificadora
Aplicaciones típicas:
- Control de motor de CC - Arrancadores suaves de motor de CA
- Control de temperatura
- Regulación profesional de la luz
Bloqueo inverso - Estado de apagado
| Tipo de dispositivo | VRRM (1) | VDRM (1) | VRSM (1) |
| YZPST MFC200 | 1600 V | 1600 V | 1700 V |
VRRM = Voltaje inverso pico repetitivo
VDRM = Voltaje de estado de apagado pico repetitivo
VRSM = Voltaje inverso pico no repetitivo (2)
| Corriente de fuga pico repetitiva y de estado apagado | IRRM, IDRM | 70 mA (3) |
| Tasa crítica de aumento del voltaje de estado apagado | dv/dt | 1000 V/μs (4) |
Conduciendo
| Parámetro | Símbolo | Mín | Máx | Tipo | Unidad | Condiciones | |
| Corriente media de encendido / hacia adelante | ITAV, IFAV | 216 | A | Onda sinusoidal de 50 Hz, conducción de 180o | |||
| Tc = 85 °C | |||||||
| RMS corriente de estado / adelante | ITRMS, IFRMS | 340 | A | 50 Hz onda sinusoidal, conducción de 180° | |||
| Tc = 85 °C | |||||||
| Corriente no repetitiva de sobretensión | ITSM, IFSM | 6.8 | kA | 50 Hz onda sinusoidal | |||
| Medio ciclo | |||||||
| I al cuadrado t | I2 t | 231 | kA2s | VR = 0 | |||
| Tj = Tjmax | |||||||
| Pico de voltaje en estado de conducción / hacia adelante | VTM, VFM | 1.1 | V | Corriente de estado activo 200 A, Tj = Tjmax | |||
| Voltaje umbral | VT(TO) | 0.8 | V | Tj = Tjmax | |||
| Resistencia de pendiente de estado activo | rT | 1.4 | mΩ | Tj = Tjmax | |||
| Corriente de retención | IH | 150 | mA | Tj = 25 °C | |||
| Corriente de retención | IL | 200 | mA | Tj = 25 °C | |||
| Tasa crítica de aumento de corriente en estado activo | di/dt | 500 | A/ μs | IG = 5 IGT, tr = 1 μs, Tj = Tjmax, non rep. | |||
| RMS voltage de aislamiento | VINS | 3000 | V | AC 50 Hz, 60 s | |||
Disparo
| Parámetro | Símbolo | Mín | Máx | Tipo | Unidad | Condiciones | |
| Corriente de compuerta | IGT | 150 | mA | VD = 6 V; RL = 6 Ω; Tj = 25 °C | |||
| Voltaje de compuerta | VGT | 2 | V | VD = 6 V; RL = 6 Ω; Tj = 25 °C | |||
ESQUEMA Y DIMENSIONES