YZPST-MJD31C
DESCRIPCIÓN:
El MJD31C son transistores de potencia NPN de silicio diseñados para aplicaciones de conmutación lineal de potencia media.
Transistores de potencia NPN de silicio
P/N: YZPST-MJD31C
DESCRIPCIÓN:
El MJD31C es un transistor de potencia NPN de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación lineal de potencia media.
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS
|
Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
|
VCBO |
Voltaje Colector-Base |
100 |
V |
|
VCEO |
Voltaje Colector-Emisor |
100 |
V |
|
VEBO |
Voltaje Emisor-Base |
5 |
V |
|
IC |
Corriente colectora continua |
3 |
A |
|
ICM |
Corriente del colector-Pulso |
5 |
A |
|
IB |
Corriente de base |
1 |
A |
|
PTOT |
Disipación total a Tcase=25 ℃ |
15 |
W |
|
Tj |
Temperatura de unión |
150 |
℃ |
|
Tstg |
Rango de temperatura de almacenamiento |
-55 〜 150 |
℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TC = 25°C, a menos que se especifique lo contrario)
|
Símbolo |
Parámetro |
Condición de Prueba |
Valor |
Unidad |
||
|
Mínimo |
Tipo |
Máximo |
||||
|
ICEO |
Corriente de Corte del Colector |
VCE= 60 V |
|
|
0.3 |
mA |
|
IEBO |
Corriente de corte del emisor |
VEB= 5 V |
|
|
1 |
mA |
|
VCEO(SUS) |
Voltaje de sostenimiento colector-emisor |
IC= 30mA |
100 |
|
|
V |
|
VCEsat |
Saturación colector-emisor Voltaje |
IC=3A IB=0.375A |
|
|
1.2 |
V |
|
VBE |
Voltaje de Encendido Base-Emisor |
IC=3A; VCE=4V |
|
|
1.8 |
V |
|
hFE-1 |
Ganancia de corriente continua |
IC=1A; VCE=4V |
25 |
|
|
|
|
hFE-2 |
Ganancia de corriente continua |
IC=3A; VCE=4V |
10 |
|
50 |
|
|
fT |
Frecuencia de transición |
IC=0.5A; VCE=10V |
3 |
|
|
MHz |
DATOS MECÁNICOS DEL PAQUETE
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