YZPST-MS38N100
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
VDSS = 1000V
ID25 = 38A
RDS(on) ≤ 210mΩ
trr ≤ 300ns
Features
Paquete Estándar Internacional
Baja Resistencia Intrínseca de Puerta
miniBLOC con Aislamiento de Nitruro de Aluminio
Baja Inductancia del Paquete
Rectificador Intrínseco Rápido
Bajo RDS(on) y QG
Advantages
Alta Densidad de Potencia
Fácil de Montar
Ahorro de Espacio
Applications
Convertidores DC-DC
Cargadores de Baterías
Fuentes de Alimentación de Modo de Conmutación y Modo Resonante
Control de Motor de CA
Aplicación de Conmutación de Potencia de Alta Velocidad
MOSFET de potencia
Modo de Mejora de Canal N
Rectificador Intrínseco Rápido
VDSS = 1000V
ID25 = 38A
RDS(on) ≤ 210m Ω
trr ≤ 300ns
Características
Paquete Estándar Internacional
Baja Resistencia Intrínseca de Puerta
miniBLOC con Aislamiento de Nitruro de Aluminio
Baja Inductancia de Paquete
Rectificador Intrínseco Rápido
Bajo RDS(on) y QG
Ventajas
Alta Densidad de Potencia
Fácil de montar
Ahorro de espacio
Aplicaciones
Convertidores DC-DC
Cargadores de batería
Fuentes de alimentación conmutadas y de modo resonante
Control de motor de CA
Aplicación de conmutación de alta velocidad de potencia
| Símbolo | Condiciones de prueba | Máximas calificaciones | |
| VDSS | TJ = 25℃ a 150℃ | 1000 | V |
| VDGR | TJ = 25℃ to 150℃, RGS = 1MΩ | 1000 | V |
| VGSS | Continuo | 土30 | V |
| VGSM | Transitorio | 土40 | V |
| ID25 | TC = 25℃ | 38 | A |
| IDM | TC = 25℃, Ancho de Pulso Limitado por TJM | 120 | A |
| I A | TC = 25℃ | 19 | A |
| EAS | TC = 25℃ | 2 | J |
| dv/dt | IS < IDM , VDD < VDSS , TJ < 150℃ | 20 | V/ns |
| PD | T = 25℃ | 1000 | W |
| TJ | -55 ... +150 | ℃ | |
| TJM | 150 | ℃ | |
| TSTG | -55 ... +150 | ℃ | |
| VISOL | 50/60 Hz, RMS, t = 1 minuto | 2500 | V~ |
| I ISOL £1mA, t = 1s | 3000 | V~ | |
| MD | Par de apriete de montaje para placa base | 1.5/13 1.3/11.5 | Nm/lb.in Nm/Ib.in |
| Par de apriete de conexión de terminal | |||
| Peso | 30 | g |
Esquema SOT-227B (IXFN)