YZPST-MUR30040
Diodo de recuperación ultrarrápida de silicio TIPO: YZPST-MUR30040
Características
- Alta Capacidad de Sobretensión
- Tipos de 50 V a 400 V VRRM
- No sensible a ESD
|
Símbolo |
Condición |
Calificaciones |
Unidad |
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IF(AV)M |
TC=140°C; 180° seno |
300 |
Un |
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IFRMS |
valor máximo para operación continua |
425 |
Un |
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IFSM |
Tj=25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); seno |
1500 |
Un |
|
I2t |
Tj=25°C; t = 8.3 ms (50 Hz); seno |
- |
kA2S |
|
Viso |
A.C.1minute/1second |
- |
V |
|
Tj |
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-55 ~ + 150 |
°C |
|
Tstg |
|
-55 ~ + 150 |
°C |
|
M |
par de apriete de montaje; 115% |
- |
Nm |
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par de apriete terminal; ±15% |
- |
Nm |
|
|
W |
aprox. |
- |
g |
|
IRRM |
AtVRRM, monofásico, onda media, Tj=125°C |
3 |
mA |
|
VFM |
Corriente en estado activo 300A, Tj=25°C |
1.70 |
V |
|
VF0 |
Tj=150°C |
- |
V |
|
rF |
Tj=150°C |
- |
mΩ |
|
trr |
Tj=25°C; IF = 0.5A; -diF/dt = 15A/μs; VR = 30V; IRR = 0.25A |
90 |
ns |
|
Qrr |
Tj=150°C; IF = 50A; -diF/dt = 100A/μs; VR = 100V |
- |
nosotros |
|
IRM |
- |
Un |
|
|
Rth(j-c) |
Por Módulo |
0.45 |
°C/W |
|
Rth(c-h) |
Por Módulo |
- |
°C/W |