YZPST-SKM195GB066D
Módulo de potencia IGBT Tipo: YZPST-SKM195GB066D
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de accionamiento de servo AC y DC
UPS (Fuentes de alimentación ininterrumpida)
Máquina de soldadura de conmutación suave
Características
Bajo Vce(sat) con tecnología Trench Field-stop
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluye FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Alta capacidad de cortocircuito (10us)
Estructura de módulo de baja inductancia
Temperatura máxima de unión 175℃
Módulo de potencia IGBT Tipo: YZPST-SKM195GB066D
Aplicaciones
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de accionamiento de servo AC y DC
UPS (Fuentes de alimentación ininterrumpida)
Máquina de soldadura de conmutación suave
Características
Bajo Vce(sat) con tecnología de campo de parada en trinchera
Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Incluyendo FWD antiparalelo de recuperación rápida y suave
Alta capacidad de cortocircuito (10us)
Estructura de módulo de baja inductancia
Temperatura máxima de unión 175℃
Absolute Máximo Clasificaciones
|
Parámetro |
Símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
|
Voltaje colector-emisor |
VCES |
VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ |
650 |
V |
|
Corriente continua del colector |
IC |
Tc=100℃ |
200 |
A |
|
Corriente Colectora Máxima |
ICRM |
tp=1ms |
400 |
A |
|
Voltaje Puerta-Emisor |
VGES |
Tvj=25℃ |
±20 |
V |
|
Disipación Total de Potencia (IGBT-inverter) |
Ptot |
Tc=25℃ Tvjmax=175℃ |
695 |
W |
Características del IGBT
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Voltaje Umbral de Compuerta-Emisor | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3.2mA,Tvj=25℃ | 5.1 | 5.8 | 6.3 | V |
| VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Corriente de Corte Colector-Emisor | ICES | VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Colector-Emisor | Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.45 | 1.95 | V | ||
| Voltaje de saturación | VCE(sat) | Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 1.65 | V | ||
| Capacitancia de entrada | Cies | VCE=25V,VGE=0V, | 12.3 | nF | ||
| Capacitancia de transferencia inversa | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.37 | nF | ||
| Resistencia Interna de la Puerta | Rgint | 1 | Ω | |||
| Tiempo de Retardo de Encendido | td(on) | 48 | Ns | |||
| Tiempo de Subida | tr | IC = 200 A | 48 | Ns | ||
| Tiempo de retardo de apagado | td(apagado) | VCE = 300 V | 348 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 58 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG = 3.6Ω | 2.32 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj=25℃ | 5.85 | mJ | ||
| Tiempo de Retardo de Encendido | td(on) | 48 | Ns | |||
| Tiempo de Subida | tr | IC = 200 A | 48 | Ns | ||
| Tiempo de retardo de apagado | td(apagado) | VCE = 300V | 364 | Ns | ||
| Tiempo de caída | tf | VGE = ±15V | 102 | Ns | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de encendido | Eon | RG = 3.6Ω | 3.08 | mJ | ||
| Disipación de energía durante el tiempo de apagado | Eoff | Tvj = 125℃ | 7.92 | mJ | ||
| SC Data | Isc | Tp ≥ 10μs, VGE = 15V, Tvj = 150℃ , Vcc = 300V, VCEM ≥ 650V | 1000 | A | ||
Características del Diodo
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Corriente Directa de Corriente Directa del Diodo | SI | Tc=100℃ | 200 | A | ||
| Corriente Directa Máxima Adelante del Diodo | IFRM | 400 | A | |||
| IF=200A,Tvj=25℃ | 1.55 | 1.95 | V | |||
| Voltaje Directo | VF | IF=200A,Tvj=125℃ | 1.5 | V | ||
| Parámetro | Valor | Unidad | ||||
| Símbolo | Condiciones | Mín. | Típ. | Máx. | ||
| Carga Recuperada | Qrr | 8.05 | uC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Pico Corriente de Recuperación Inversa | Irr | -diF/dt =4200A/us | 148 | A | ||
| Energía de Recuperación Inversa | Erec | Tvj=25℃ | 1.94 | mJ | ||
| Carga Recuperada | Qrr | 16.9 | uC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Pico Corriente de Recuperación Inversa | Irr | -diF/dt =4200A/us | 186 | A | ||
| Energía de Recuperación Inversa | Erec | Tvj = 125℃ | 3.75 | mJ | ||
Características del módulo TC=25°C a menos que se especifique lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad | ||
| Mín. | Típ. | Máx. | ||||
| Voltaje de aislamiento | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Temperatura máxima de unión | Tjmax | 150 | °C | |||
| Temperatura de unión de operación | Tvj op | -40 | 125 | °C | ||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 125 | °C | ||
| por inversor IGBT | 0.19 | K/W | ||||
| Junction-to Case | Rθjc | por inversor de diodo | 0.31 | K/W | ||
| Case to Sink | Rθcs | Grasa conductiva aplicada | 0.085 | K/W | ||
| Módulo de Electrodos de Torque | Mt | Recomendado (M5) | 2.5 | 5 | N · m | |
| Módulo de Torque al Disipador | Ms | Recomendado (M6) | 3 | 5 | N · m | |
| Peso del módulo | G | 150 | g | |||
Paquete Dimensiones
u200b
Para obtener más información sobre YZPST-SKM195GB066D por favor descargue el archivo PDF arriba llamado " YZPST-SKM195GB066D-R090 "
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