YZPST-SP50N80FX
800V N-Channel Power MOSFET
YZPST-SP50N80FX
CARACTERÍSTICAS
Conmutación rápida
100% probado en avalancha
Mejora de la capacidad dv/dt
APLICACIONES
Fuente de alimentación conmutada (SMPS)
Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)
Corrección del factor de potencia (PFC)
|
Información de Pedido, Marcado y Embalaje del Dispositivo |
|||
|
Número de Pedido |
Paquete |
Marcado |
Embalaje |
|
SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Tubo |
|
Valores Máximos Absolutos T C = 25ºC, a menos que se indique lo contrario |
|||
|
Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
|
Tensión drenaje-fuente (V GS = 0V) |
V DSS |
800 |
V |
|
Corriente de Drenaje Continua |
I D |
50 |
A |
|
Pulsado Drenaje Corriente (nota1) |
I DM |
200 |
A |
|
Voltaje Puerta-Fuente |
V GSS |
u00b1 30 |
V |
|
Pulso Único Avalancha Energía (nota2) |
E AS |
4500 |
mJ |
|
Repetitivo Avalancha Energía (nota1) |
E AR |
60 |
mJ |
|
Disipación de potencia (T C = 25°C) |
P D |
690 |
W |
|
Rango de temperatura de operación, unión y almacenamiento |
T J , T stg |
-55~+150 |
°C |
|
Precaución: Esfuerzos mayores que los indicados en las Especificaciones de Máximo Absoluto |
|||
|
pueden causar daños permanentes al |
|||||||||
|
Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
||||||
|
dispositivo. |
Resistencia Térmica Resistencia Térmica, Unión a Caja |
R
|
thJC |
||||||
|
0.18 |
Resistencia Térmica °C/W |
40 |
|||||||
|
Especificaciones T J = 25ºC, a menos que se indique lo contrario |
||||||
|
Parámetro |
Símbolo |
Condiciones de prueba |
Valor |
Unidad |
||
|
Mín. |
Típ. |
Máx. |
||||
|
Estático |
||||||
|
Voltaje de ruptura drenaje-fuente |
V (BR)DSS |
V GS = 0V, I D = 250µA |
800 |
-- |
-- |
V |
|
Corriente de drenaje de voltaje de puerta cero |
I DSS |
V DS =800, V GS = 0V, T J = 25ºC |
-- |
-- |
1.0 |
µA |
|
Fuga de compuerta a fuente |
I GSS |
V GS = u00b1 30V |
-- |
-- |
u00b1 100 |
nA |
|
Tensión Umbral Puerta-Fuente |
V GS(th) |
I DS = 250µA |
2.5 |
-- |
4.5 |
V |
|
Resistencia Conducción Drenador-Fuente (Nota3) |
Resistencia Térmica DS(on) |
V GS = 10V, I D = 25A |
-- |
120 |
130 |
mΩ |
|
Dinámico |
||||||
|
Capacitancia de Entrada |
C iss |
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1.0MHz |
-- |
14600 |
-- |
pF |
|
Capacitancia de salida |
C oss |
-- |
1300 |
-- |
||
|
Capacitancia de transferencia inversa |
C rss |
-- |
66 |
-- |
||
|
Carga total de compuerta |
Q g |
V DD =400V, I D =50A, V GS = 10V |
-- |
360 |
-- |
nC |
|
Carga de compuerta-fuente |
Q gs |
-- |
80 |
-- |
||
|
Carga de compuerta-drenaje |
Q gd |
-- |
120 |
-- |
||
|
Tiempo de retardo de encendido |
t d(on) |
V DD = 400V, I D =50A, R G = 10 Ω |
-- |
110 |
-- |
ns |
|
Tiempo de subida de encendido |
t r |
-- |
200 |
-- |
||
|
Tiempo de retardo de apagado |
t d(apagado) |
-- |
160 |
-- |
||
|
Tiempo de caída de apagado |
t f |
-- |
185 |
-- |
||
|
Características del diodo de cuerpo fuente-drenador |
||||||
|
Corriente continua del diodo de cuerpo |
I S |
T C = 25 aC |
-- |
-- |
50 |
A |
|
Corriente directa pulsada del diodo hacia adelante |
I SM |
-- |
-- |
400 |
||
|
Voltaje del diodo de cuerpo |
V SD |
T J = 25C, I SD = 25A, V GS = 0V |
-- |
-- |
1.4 |
V |
|
Tiempo de Recuperación Inversa |
t rr |
V GS = 0V,I S = 50A, di F /dt =100A / μs |
-- |
520 |
-- |
ns |
|
Carga de Recuperación Inversa |
Q rr |
-- |
5.0 |
-- |
1. Calificación Repetitiva: Ancho de pulso limitado por la temperatura máxima de unión |
|
Notas
2. V
= 50V, R DD = 25 Ω, Inicio T G = 25 °C J Prueba de pulso: Ancho de pulso ≤ 300μs, Ciclo de trabajo ≤ 1%
Para obtener más información sobre
YZPST-SP50N80FX YZPST-SP50N80FX por favor descargue el archivo PDF arriba llamado " YZPST-SP50N80FX "
Productos Relacionados
