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YZPST-STW20NM60

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Producto destacado

YZPST-A1237NC280

YZPST-R0929LC10 (TQ_10US)

YZPST-C712L

YZPST-T171-320-10

YZPST-FR1000AX50

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YZPST-STW20NM60

YZPST-STW20NM60.pdf

YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts 20200518.pdf

descripción1

Cierre de cremallera Sudaderas deportivas 1/5 con cremallera para hombres. Tejido elástico, ligero, de secado rápido para un rendimiento superior. AJUSTE REGULAR - Tallas estándar de EE. UU. Un ajuste atlético que se ajusta cerca del cuerpo para una amplia gama de movimientos, diseñado para un rendimiento óptimo y comodidad durante todo el día. CARACTERÍSTICAS - Cierre de cremallera cuarto de longitud; Agujeros para los pulgares en las mangas largas para mantenerlas en su lugar durante el entrenamiento

DESCRIPCIÓN

http://www.youtube.com/channel/UCZ3mV8GmGNcX4WcYEoWX-_g/featured

Características

Alta robustez

Bajo RDS(ON) (Typ 0.22Ω)@VGS=10V

Carga de puerta baja (Typ 84nC)

Capacidad mejorada de dv/dt

100% Probado en Avalancha

Aplicación: UPS, Cargador, PC Power, Inversor

Descripción General
Este MOSFET de potencia se produce con la tecnología avanzada de Promising Chip.

Esta tecnología permite que el MOSFET de potencia tenga mejores características, incluido un tiempo de conmutación rápido, una baja resistencia en conducción, una baja carga de compuerta y especialmente excelentes características de avalancha.

Valores máximos absolutos

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VDSS	Voltaje de drenaje a fuente	600	V
ID	Corriente de drenaje continua (@Tc=25℃)	20*	A
ID	Corriente de drenaje continua (@Tc=100℃)	12*	A
IDM	Corriente de drenaje pulsada	78	A
VGS	Voltaje de puerta a fuente	±30	V
EAS	Energía de avalancha pulsada única	1284	mJ
OREJA	Energía de avalancha pulsada repetitiva	97	mJ
dv/dt	Pico de recuperación de dv/dt del diodo	5	V/ns
PD	Disipación total de potencia (@Tc=25℃)	42.3	W
PD	Factor de reducción por encima de 25°C	0.32	W/ C
TSTG,TJ	Temperatura de la unión en funcionamiento y temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃
TL	Temperatura máxima de la punta para propósitos de soldadura, 1/8 desde el estuche durante 5 segundos	300	℃

*La corriente de drenaje está limitada por la temperatura de la unión Características térmicas:

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
Rthjc	Resistencia térmica, de unión a la carcasa	3.1	℃/W
Rthja	Resistencia térmica, unión al ambiente	49	℃/W

Características de las calificaciones de los diodos de fuente a drenaje:

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Min.	Typ.	Máximo.	Unidad
Es	Corriente de fuente continua	Juntura p-n inversa integral diodo en el MOSFET			20	A
ISM	Corriente de fuente pulsada	Juntura p-n inversa integral diodo en el MOSFET			80	A
VSD	Caída de tensión directa del diodo	IS =20A VGS = 0V			1.3	V
trr	Tiempo de recuperación inversa	IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us		494		ns
Qrr	Carga de recuperación inversa	IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us		7.3		uC

YZPST puede proporcionar la siguiente lista de MOSFET

Rds(on) mΩ(typ) @Vgs=

MPN

Paquete

Tipo

VDS (V)

Vgs

Ids

Vgs(th)

(nC)

Qgs

Qgd

( Tipo ")

(V)

(A)

(W)

máximo (V)

10V 4.5V 2.5V (4.5

(nC)

2301

S OT 2 3

- 2 0 V

± 1 2

- 3 A

1 W

- 1 V

6 4 mΩ

8 9 mΩ

3.3

0.7

1.3

2302

S OT 2 3

2 0 V

± 1 0

2 .9 A

1 W

1 . 2 V

3 0 mΩ

3 7 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

0.65

1.2

2305

S OT 2 3

- 2 0 V

± 1 2

- 4 . 8 A

1 . 7 W

- 1 V

4 5 mΩ

6 0 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

7.8

1.2

1.6

3400

S OT 2 3

3 0 V

± 1 2

5 .8 A

1 . 4 W

1 . 4 V

2 8 mΩ

3 1 mΩ

4 5 mΩ

9.5

1.5

3401

S OT 2 3

- 3 0 V

± 2 0

- 4 . 2 A

1 . 2 W

- 1 . 3 V

5 0 mΩ

6 4 mΩ

9 5 mΩ

9.5

1 0N 0 3

S OP 8

3 0 V

± 2 0

1 0 A

2 . 5 W

3 V

7 .5 mΩ

5.5

3.5

2 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

2 0 A

6 0 W

3 V

2 8 mΩ

2.9

3.2

3 0P 0 3

S OP 8

3 0 V

± 2 0

- 3 0 A

6 0 W

3 V

5 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

5 0 A

6 0 W

3 V

5 .9 mΩ

4.5

6 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

6 0 A

4 6 .3 W

1 . 8 V

3 .3 mΩ

8 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

8 0 A

8 3 W

4 .8 mΩ

1 00 N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

1 0 0 A

1 10 W

3 V

4 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

100

6 0N 0 4

T O- 2 5 2

4 0 V

± 2 0

6 0 A

6 5 W

1 . 9 V

8 .5 mΩ

1 2. 5 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

4.5

6.4

4606

S OP - 8

N+P

3 N0 6

S OT - 22 3

6 0 V

± 2 0

3 A

1 . 7 W

1 . 4 V

105mΩ uff08 MAX ")

125mΩ uff08 MAX ")

1.3

1 5P 0 6

T O- 2 5 2

2 0N 0 6

T O- 2 5 2

6 0 V

± 2 0

2 0 A

4 0 W

3 V

3 7 mΩ

4.1

4.5

2 5P 0 6

T O- 2 5 2

- 6 0 V

± 2 0

- 2 5 A

9 0 W

- 3 . 5 V

4 5 mΩ

9.5

10.5

3 0N 0 6

T O- 2 20 / F

6 0 V

± 2 0

3 0 A

1 20 W

4 V

1 9 mΩ

9.6

10.5

5 0N 0 6

T O- 2 5 2

6 0 V

± 2 0

5 0 A

1 20 W

4 V

1 9 mΩ

9.6

10.5

1 10 N 0 6

T O- 2 20 / F

6 0 V

± 2 0

1 1 0 A

1 20 W

2 V

5 .2 mΩ

113

G 10 0 2

T O- 9 2

1 00 V

± 2 0

2 A

1 . 1 W

2 . 5 V

1 8 5 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

5.2

0.75

1.4

5 N1 0

S OT 2 2 3

1 00 V

± 2 0

5 A

3 W

3 V

1 3 5 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

3.2

4.7

1 4N 1 0

T O- 2 5 2

1 00 V

± 2 0

1 4 A

2 8 W

2 . 6 V

8 5 mΩ

1.9

2.8

3 0N 1 0

S OP 8

1 00 V

± 2 0

3 0 A

8 5 W

2 . 5 V

2 4 mΩ

1 1N 1 0

T O- 2 5 2

1 00 V

± 2 0

1 1 A

2 8 W

2 . 6 V

8 5 mΩ

1.9

2.8

1 2P 1 0

T O- 2 5 2

- 1 0 0 V

± 2 0

- 1 2 A

4 0 W

- 3 V

1 7 0 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

5 N2 0

T O- 2 5 2

2 00 V

± 2 0

5 A

3 0 W

2 . 5 V

5 2 0 m { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

2.5

3.8

2 N6 0

T O- 2 52 / 25 1

6 00 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

1.6

4.3

2 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

1.6

4.3

2 N6 5

T O- 2 5 2

6 50 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

1.6

4.3

4 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

4 A

1 00 W

4 V

3 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

2.7

4 N6 0

T O- 2 5 2

6 00 V

± 3 0

4 A

3 3 W

4 V

3 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

2.7

5 N6 0

T O- 2 2 0

6 00 V

± 3 0

5 A

1 00 W

4 V

2.5 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

7.2

6 N6 5

T O -

6 50 V

± 3 0

6 A

1 40 W

4 V

1.8 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

14.5

8 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

8 A

1 40 W

4 V

1.0 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

6.8

1 2N 6 5

T O -

6 50 V

± 3 0

1 2 A

4 V

0.8 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

8.6

I RF 6 4 0

T O -

2 00 V

± 3 0

1 8 A

4 3 W

4 V

0 . 1 4 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

I RF 7 4 0

T O -

4 00 V

± 3 0

1 0. 5 A

4 5 .5 W

4 V

0 . 4 3 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

I RF 8 4 0

T O -

5 00 V

± 3 0

9 A

4 5 .5 W

4 V

0 . 6 5 { "task_id": "88299496", "text": " u03a9" }

Para obtener más información sobre MOSFET, descargue el archivo PDF arriba llamado " YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts "

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