YZPST-100HF120TK-G1
Módulo IGBT YZPST-100HF120TK-G1
CARACTERÍSTICAS
Alta capacidad de cortocircuito, corriente de cortocircuito auto limitante
CHIP IGBT (tecnología Trench+ Field Stop)
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo Conmutación rápida, Bajas pérdidas por conmutación
Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
APLICACIONES
Aplicación de conmutación de alta frecuencia
Convertidores de soldadura
Control de movimiento/servomotor
Sistemas UPS
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS TC=25°C a menos que se especifique lo contrario
|
Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Valores |
Unidad |
|
IGBT |
||||
|
V CES |
Voltaje colector-emisor |
T Vj =25°C |
1250 |
V |
|
V GES |
Voltaje compuerta-emisor |
|
±30 |
V |
|
I C |
Corriente colectora de CC |
T C =25°C |
150 |
A |
|
T C =80°C |
100 |
A |
||
|
I CM |
Corriente colectora pico repetitiva |
t p =1ms |
200 |
A |
|
P tot |
Disipación de potencia por IGBT |
694 |
W |
|
|
Diodo |
||||
|
V RRM |
Voltaje inverso repetitivo |
T Vj =25°C |
1250 |
V |
|
I F(AV) |
Corriente directa promedio |
T C =25°C |
150 |
A |
|
T C =80°C |
100 |
A |
||
|
I FRM |
Corriente directa repetitiva pico |
t p =1ms |
200 |
A |
MÓDULO
CARACTERÍSTICAS
T
C
=25°C a menos que se indique lo contrario
especificado
|
Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Mín. |
Típ. |
Máx. |
Unidad |
|
T Vj máx |
Temperatura Máxima de Unión |
|
150 |
°C |
||
|
T Vj op |
Temperatura de Operación |
|
-40 |
|
150 |
°C |
|
T stg |
Temperatura de Almacenamiento |
|
-40 |
125 |
°C |
|
|
V isol |
Voltaje de Prueba de Aislamiento |
CA, t=1min |
3000 |
V |
||
|
Torque |
A Disipador |
Recomendado M6 |
3 |
|
5 |
N·m |
|
Torque |
A Terminal |
Recomendado M5 |
2.5 |
|
5 |
N·m |
|
Peso |
|
|
|
176 |
|
g |
DIAGRAMA DE CIRCUITO
ESQUEMA DEL PAQUETE
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