YZPST-300HF120TK-G2

Módulo IGBT de 300A 1200V

CARACTERÍSTICAS
Alta capacidad de cortocircuito, corriente de cortocircuito auto limitante
CHIP IGBT (tecnología Trench+ Field Stop)
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Conmutación rápida y corriente de cola corta, Bajas pérdidas de conmutación
Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
Sensor de temperatura incluido
APLICACIONES
Aplicación de conmutación de alta frecuencia
Aplicaciones médicas
Control de movimiento/servomotor
Sistemas UPS

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS CALIFICACIONES T C =25°C a menos que se especifique lo contrario especificado

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Valores	Unidad
IGBT
V CES	Voltaje colector-emisor	T Vj =25°C	1250	V
V GES	Gate - Emitter Voltage		±30	V
I C	DC Collector Current	T C =25°C	450	A
		T C =80°C	300	A
I CM	Corriente colector pico repetitiva	t p =1ms	600	A
P tot	Disipación de potencia por IGBT		2083	W
Diodo
V RRM	Voltaje inverso repetitivo	T Vj =25°C	1250	V
I F(AV)	Corriente directa promedio	T C =25°C	450	A
		T C =80°C	300	A
I FRM	Corriente directa máxima repetitiva	t p =1ms	600	A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TÉRMICAS TC=25°C a menos que se especifique lo contrario

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba			Mín.	Típ.	Máx.	Unidad
IGBT
V GE(th)	Gate - Emitter Umbral Voltaje	V CE =V GE , I C =2.0mA			5.0		6.8	V
V CE(sat)	Colector - Emisor	I C =300A, V GE =15V, T Vj =25°C				2.2	2.6	V
	Voltaje de saturación	I C =300A, V GE =15V, T Vj =125°C				2.65		V
I CES	Corriente de fuga del colector	V CE =1250V, V GE =0V, T Vj =25°C					1	mA
		V CE =1250V, V GE =0V, T Vj =125°C					5	mA
R gint	Resistor de compuerta integrado	Por interruptor				5		Ω
I GES	Corriente de fuga de compuerta	V CE =0V,V GE ±15V, T Vj =125°C			-500		500	nA
C ies	Capacitancia de entrada	V CE =25V, V GE =0V, f =1MHz				21.3		nF
C res	Capacitancia de transferencia inversa					1.42		nF
t d(on)	Tiempo de Retardo de Encendido	V CC =600V,I C =300A,		T Vj =25°C		393		ns
		R G =3.3 Ω ,		T Vj =125°C		395		ns
t r	Tiempo de subida	V GE = ±15V,		T Vj =25°C		130		ns
		Carga inductiva		T Vj =125°C		135		ns
t d(apagado)	Tiempo de retardo de apagado	V CC =600V,I C =300A,		T Vj =25°C		570		ns
		R G =3.3 Ω ,		T Vj =125°C		600		ns
t f	Tiempo de caída	V GE = ±15V,		T Vj =25°C		145		ns
		Carga inductiva		T Vj =125°C		155		ns
E encendido	Energía de encendido	V CC =600V,I C =300A,		T Vj =25°C		7.7		mJ
		R G =3.3 Ω ,		T Vj =125°C		14.5		mJ
E apagado	Apagar - Energía	V GE = ±15V,		T Vj =25°C		26.3		mJ
		Carga inductiva		T Vj =125°C		33.5		mJ
I SC	Corriente de Cortocircuito	t ps c \u226410\u00b5S , V GE =15V T Vj =125\u00b0C,V CC =900V				2100		A
R thJC	Resistencia Tu00e9rmica de Uniu00f3n a Carcasa (Por IGBT)						0.07	K /W
Diodo
V F	Voltaje Directo	I F =300A , V GE =0V, T Vj =25°C				1.82	2.25	V
		I F =300A , V GE =0V, T Vj =125°C				2.0		V
Q rr	Carga Inversa	I F =300A , V R =600V				40		uC
I RRM	Max. Corriente de Recuperación Inversa	di F /dt=-2360A/ μs				250		A
E rec	Energía de Recuperación Inversa	T Vj =125°C				18.5		mJ
R thJCD	Resistencia Térmica de Unión a Carcasa		(Por Diodo)				0.12	K /W

ESQUEMA DEL PAQUETE

Para obtener más información sobre YZPST-300HF120TK-G2 por favor descargue el archivo PDF arriba llamado " YZPST-300HF120TK-G2"