YZPST-MD100N12
Módulos de Diodo Rectificador
YZPST-MD100N12
Características
Transferencia de Calor a Través de la Placa Base Metálica Aislada de Cerámica de Óxido de Aluminio
Juntas Soldadas Duras para Alta Fiabilidad
Reconocido por UL
Aplicaciones Típicas
Rectificador para aplicaciones de accionamientos
Rectificadores para UBS
Cargadores de batería
BLOQUEO
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Símbolo |
Condición |
Clasificaciones |
Unidad |
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V RRM V RSM |
T j = T j Máx. |
1200 1300 |
V |
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I RRM |
AtV RRM uff0cSingle phaseuff0chalf waveuff0cT j = T j Máx. |
3 |
mA |
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V I SO |
50Hz , r.m.s;1S/1min |
|
V |
CONDUCTING
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Símbolo |
Condición |
Clasificaciones |
Unidad |
|
I F(AV) |
T C = 100 0C; 1800 sine |
100 |
A |
|
I F( RMS ) |
T C = 100 0C; 1800 sine |
180 |
A |
|
I FSM |
T j = T j Máx. ; t = 10 ms (50 Hz); seno |
2000 |
A |
|
I 2 t |
T j = T j Máx. ; t = 10 ms (50 Hz); seno |
20 |
kA 2 S |
|
V F(TO) |
(I > \u03c0 x I F(AV) ),Tj= Tj Máx. |
0.87 |
V |
|
r F |
(I > \u03c0 x I F(AV) ),Tj= Tj Máx. |
2.45 |
m\u03a9 |
|
V FM |
Corriente en estado activo 300 A, T j = 25 °C |
1.50 |
V |
Características eléctricas
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Símbolo |
Condición |
Clasificaciones |
Unidad |
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R th(j-c) |
Por Módulo |
0.1 |
K /W |
|
R th(c-h) |
Por Módulo |
0.11 |
K /W |
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T j |
|
- 4 0 ~ + 1 30 |
°C |
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T stg |
|
- 4 0 ~ + 1 25 |
°C |
|
M |
par de apriete de montaje |
5 |
Nm |
|
par de apriete del terminal |
3 |
Nm |
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|
W |
|
|
g |
Dibujo esquemático
Para obtener más información sobre YZPST-MD100N12 por favor descargue el archivo PDF arriba llamado " YZPST-MD100N12 "