YZPST-QM3N150C Transistor de efecto de campo de unión aislada de alta velocidad de conmutación de 1500V, canal N
1500V N-Channel MOSFET
YZPST-QM3N150C
Descripción general
Este MOSFET de potencia se produce utilizando tecnología planar avanzada autoalineada. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación.
Estos dispositivos pueden ser utilizados en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.
Características
3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A
Baja carga de compuerta (37nC típico)
Baja capacitancia de transferencia inversa (2.8pf típico)
Conmutación rápida
100% probado en avalancha
1500V N-Channel MOSFET
YZPST-QM3N150C
Descripción general
Este MOSFET de potencia se produce utilizando tecnología avanzada
tecnología planar autoalineada. Esta tecnología avanzada
ha sido especialmente diseñada para minimizar
la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior
y soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación.
Estos dispositivos pueden utilizarse en varios interruptores de potencia
These devices can be used in various power switching
circuito para miniaturización del sistema y mayor eficiencia.
Características
3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A
Baja carga de compuerta (típica 37nC)
Baja capacitancia de transferencia inversa (típica 2.8pf)
Conmutación rápida
100% probado en avalancha
Valores máximos absolutos Tc=25 C a menos que se indique lo contrario
| Símbolo | Parámetro | YZPST-QM3N150C | Unidades | |
| Voss | Voltaje drenaje-fuente | 1500 | V | |
| lo | Corriente de drenaje | Continuo (Tc=25℃) | 3 | A |
| Continuo (Tc=100℃) | 1.8 | A | ||
| loM | Corriente de drenaje - Pulsada (Nota 1) | 12 | A | |
| VGss | Voltaje Puerta-Origen | ±30 | V | |
| EAS | Energía de Avalancha Pulsada Única (Nota 2) | 225 | mJ | |
| dv/dt | Pico de recuperación de dv/dt del diodo (Nota 3) | 5 | V/ns | |
| Po | Disipación de potencia (Tc=25℃) | 32 | W | |
| T, Tsts | Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento | -55 a +150 | ℃ | |
| Tt |
Temperatura máxima del terminal para fines de soldadura
1/8" desde la carcasa durante 5 segundos |
300 | ℃ | |
Información del paquete TO-3PH
Para obtener más información sobre YZPST-QM3N150C-G320 por favor descargue el archivo PDF arriba llamado "YZPST-QM3N150C-G320"
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