YZPST-1A01K170K
YZPST-1A01K170K
Silicon Carbide Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
V DS = 1700 V
RDs(on) = 1.0QlDS@25°C = 5.0 A
Features
Alta capacidad de voltaje
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Alta velocidad de conmutación con bajas capacitancias
Fácil de paralelizar y simple de conducir
Capacitancia ultra baja entre drenador y compuerta
Robustez ante avalanchas
Beneficios
Mayor eficiencia del sistema
Requisitos de enfriamiento reducidos
Mayor fiabilidad del sistema
Frecuencia de conmutación del sistema aumentada
Aplicaciones
Fuentes de alimentación auxiliares
Fuentes de alimentación conmutadas
| Número de parte | Paquete |
| 1A01K170K | TO-247-3 |
Ratings máximos (Tc=25°C a menos que se especifique lo contrario)
Para obtener más información sobre YZPST-1A01K170K por favor descargue el archivo PDF arriba llamado " YZPST-1A01K170K "