Módulos de tiristores individuales de 1200V de venta caliente

Correo electrónico: info@yzpst.net

Tel: 008613805278321

Whatsapp: 8613805278321

Módulos de tiristores individuales de 1200V de venta caliente

YZPST-MT(R)250-12-I903x.pdf

descripción1

Cierre de cremallera Sudaderas deportivas 1/5 con cremallera para hombres. Tejido elástico, ligero, de secado rápido para un rendimiento superior. AJUSTE REGULAR - Tallas estándar de EE. UU. Un ajuste atlético que se ajusta cerca del cuerpo para una amplia gama de movimientos, diseñado para un rendimiento óptimo y comodidad durante todo el día. CARACTERÍSTICAS - Cierre de cremallera cuarto de longitud; Agujeros para los pulgares en las mangas largas para mantenerlas en su lugar durante el entrenamiento

Descripción del producto

Soltero Módulos de tiristores

YZPST-MT(R)250A1200V

Características

· Paquete estándar industrial

· Placa base aislada eléctricamente

· Transferencia de calor a través de la placa base metálica aislada de cerámica de óxido de aluminio

· Chip soldado en AL unido directamente a cobre ₂ O ₃ cerámica

· Chip de tiristor con compuerta central

Aplicaciones típicas

· Control de motor de CC

· Arrancadores suaves para motores de CA

· Control de temperatura

· Regulación profesional de la luz

V _DRM /V _RRM		1 2 00/1 2 00	V
V _RSM		1300	V

Valores Máximos

Símbolo	Condición	Calificaciones	Unidad
Yo _T(AV)	sin. 180; T _c =85 °C ,	250	A
Yo _TSM	T _vj =25 °C ; 10 ms	9500	A
Yo ² t	T _vj =25 °C ; 8,3 ... 10 ms	450	kA ² S
( di/dt ) _cr		130	A/us
V _iso	A.C. \u00a01s /\u00a0 1min .		V
T _j		-40 ~ + 1 25	°C
T _stg		-40 ~ + 125	°C
W		-	g

Características Eléctricas

Símbolo	Condición	Calificaciones	Unidad
Yo _DRM /I _RRM	AtV _DRM , T _j =1 25 °C	85	mA
V _T	Corriente de estado activo 750A, T _j =25°C	1.4 3	V
V _T(TO)	T _j =1 25 °C	0.81	V
t _gd	T _j =25°C	1	nosotros
t _q	T _j =1 25 °C	150	nosotros
Yo _GT /V _GT	T _j =25°C	145 / 2	mA/V
V _GD	T _j =1 25 °C	0.25	V
( d v/ dt ) _cr	T _j =1 25 °C	1000	V/us
Yo _H	T _j =25°C , typ. / max.	1 4 0 /450	mA
Yo _L	T _j =25°C , typ. / max.	2 00 /1800	mA
R _th(j-c)	Por Módulo	0.0 455	K/W