S Símbolo

Co n Condición

R a tings

U noche

I T(AV) M

Single fase uff0c mitad onda uff0c sin 180° conducción ; T C =85° C

320

A

I TRMSM

Single fase uff0c mitad onda uff0c sin 180° conducción

520

A

I TS M

T j = T j MAX

8. 2

kA

I 2 t

T j = T j MAX

335

k A 2 S

V DRM / V RRM

T j = T j MAX

1600

V

di / dt

non - repetitivo

1 00

A / nosotros

V es o

A . C . 1 minuto /1 S

3000/360 0

V

T j

- 40 ~ + 130

° C

T stg

- 40 ~ + 130

° C

W

A acerca de

410

g

S Símbolo

Co n Condición

R a tings

U noche

I DRM / I RRM

AtV DRM uff0c Single fase uff0c mitad onda uff0c T j = T j MAX

60

A

V T M

En - Estado Actual 750 A uff0c T j =130° C

1. 47

V

V T ( A )

T j = T j MAX

0.77

V

T

T j = T j MAX

0.58

Ω

R K 1 G 1

-

Ω

R K 2 G 2

-

Ω

t gd

T j = 25° C ; V D =0.4 V DRM ; I TM = I TAV

2

u s

t q

dv D / dt =50 V / nosotros ; T j = T j MAX ; I TM = I TAV

200

u s

I GT / V GT

T j =25° C uff0c I T =1 A uff0c V D =6V

150 / 2. 0

mA / V

V GD

V D = 67% V DRM

0.25

V

DV / DT

V D = 67% V DRM

1000

V / nosotros

I H

T j =25° C

1 50

A

I L

T j =25° C

380

A

R th ( j - c )

Térmico resistencia Junction to case ; per módulo

0.05 5

K / W

R th ( c - h )

Térmico resistencia case to heatsink ; per módulo

0.0275

K / W