YZPST-FM3N150C
MOSFET N de canal de 1500V
YZPST-FM3N150C
Descripción general
Este MOSFET de potencia se produce utilizando una tecnología planar avanzada autoalineada. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación.
Estos dispositivos se pueden utilizar en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.
Características
3A, 1500V, RDS(on)typ. = 5Q@VGS = 10 V ld=1.5A
Baja carga de compuerta (típico 9.3nC)
Baja carga de compuerta (típico 2.4pf)
Conmutación rápida
100% probado en avalancha
Valores Máximos Absolutos Tc = 25 C a menos que se indique lo contrario
| Símbolo | Parámetro | JFFM3N150C | Unidades | |
| Vdss | Voltaje de Drenaje - Fuente | 1500 | V | |
| Id | Corriente de drenaje | Continuo (Tc = 25 C ) | 1.8 | A |
| Continuo ( Tc = 100 C ) | 1.2 | A | ||
| Idm | Corriente de drenaje - Pulsada ( Nota 1) | 12 | A | |
| Vgss | Voltaje Puerta-Fuente | ±30 | V | |
| EAS | Energía de Avalancha Pulsada Única ( Nota 2 ) | 225 | mJ | |
| dv/dt | Pico de Recuperación de dv/dt del Diodo ( Nota 3 ) | 5 | V/ns | |
| Pd | Disipación de potencia (Tc = 25 | 30 | W | |
| Tj,Tstg | Rango de temperatura de operación y almacenamiento | -55 a +150 | °C | |
| Tl | Temperatura máxima de plomo para fines de soldadura | 300 | °C | |
| 1/8 3 00a0 caja de frome durante 5 segundos | ||||
Características térmicas
| Símbolo | Parámetro | JFFM3N150C | Unidades |
| Raic | Resistencia Térmica, Unión a la Caja | 4.1 | °C/W |
| Rqja | Resistencia Térmica, Unión a Ambiente | 62.5 | °C/W |
Características Eléctricas tc=25 °c a menos que se indique lo contrario
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de Prueba | Mín | Típ | Máx | Unidades |
| Características de apagado | ||||||
| BVdss | Voltaje de ruptura drenaje - fuente | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | ― | — | V |
| / BVdss/ | Coeficiente de Temperatura del Voltaje de Ruptura | Id = 250 uA, Referenciado a | -- | 1.3 | -- | v/ |
| Tj 25 | 25 | |||||
| Corriente de Drenaje con Voltaje de Puerta Cero | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | — | — | 25 | uA | |
| Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 C | -- | -- | 500 | uA | |
| Igssf | Corriente de fuga cuerpo-puerta, directa | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
| Igssr | Corriente de fuga cuerpo-puerta, inversa | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
| Características de encendido | ||||||
| VGS(th) | Voltaje Umbral de la Puerta | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Resistencia Estática de Drenaje-Fuente | Vgs = 10 V, Id= 1.5A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Transconductancia Directa | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Nota | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Características Dinámicas | ||||||
| Ciss | Capacitancia de Entrada | Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
| Coss | Capacitancia de salida | 1.0 MHz | — | 104 | — | pF |
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | — | 2.4 | — | pF | |
| Rg | Resistencia de puerta | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
| Características de conmutación | ||||||
| td(on) | Tiempo de retardo de encendido | 34 | ns | |||
| tr | Tiempo de subida de encendido | Vds = 750 V, Id=3.0A / Rg = | 17 | ns | ||
| Tiempo de apagado td(off) | Tiempo de retardo de apagado | 100 , Vgs = 10 V (Nota 4,5) | 56 | ns | ||
| tf | Turn-Off Fall Time | 27 | ns | |||
| Qe | Total Gate Charge | Vds = 750 V, Id =3.0 A Vgs = | 9.3 | nC | ||
| Qgs | Carga Puerta-Fuente | 10 V (Nota 4,5) | 15 | nC | ||
| Qgd | Carga Puerta-Drenaje | 5.3 | nC | |||
| Características y Clasificaciones Máximas del Diodo Drenaje-Fuente | ||||||
| Is | Corriente Directa Máxima Continua Diodo Drenaje-Fuente | — | — | 3 | A | |
| Ism | Corriente directa máxima del diodo de drenaje-fuente pulsada | — | — | 12 | A | |
| Vsd | Voltaje directo del diodo de drenaje-fuente | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | — | 1.5 | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | 302 | — | ns |
| Qrr | Carga de Recuperación Inversa | dl F /dt = 100 A/us ( Nota | -- | 10 | -- | uC |
| 4) | ||||||
Notas:
1. Clasificación Repetitiva: Ancho de pulso limitado por la temperatura máxima de la unión
2. L= lO.OmH , Ias = 6.7A, Rg = 25Q, StartingTj = 25°C
3. Isd < 3.0A z di/dt < lOOA/us, Vdd < BVdss, Starting Tj = 25°C
4. Pulsed Test: Ancho de pulso <3OOus z Duty cycle < 2%
5. Esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento
Para obtener más información sobre YZPST-FM3N150C Por favor, descargue el archivo PDF arriba llamado " YZPST-FM3N150C"
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