YZPST-M2G0080120D
Características
Paquete optimizado con pin de fuente de controlador separado
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Conmutación de alta velocidad con bajas capacitancias
Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
Fácil de conectar en paralelo
Cumple con RoHS
Beneficios
Mayor eficiencia del sistema
Reducir los requisitos de enfriamiento
Aumento de la densidad de potencia
Permitir una frecuencia más alta
Minimizar el repique de la compuerta
Reducción de la complejidad y el costo del sistema
Aplicaciones
Fuentes de alimentación de modo conmutado
Convertidores DC/DC
Inversores solares
Cargadores de baterías
Accionamientos de motores
Paquete optimizado con pin de fuente de controlador separado
Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en conducción
Conmutación de alta velocidad con bajas capacitancias
Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
Fácil de paralelizar
Cumple con RoHS
Beneficios
Mayor eficiencia del sistema
Reducir los requisitos de enfriamiento
Aumento de la densidad de potencia
Permitir una frecuencia más alta
Minimizar el oscilación de compuerta
Reducción de la complejidad y el costo del sistema
Aplicaciones
Fuentes de alimentación conmutadas
Convertidores DC/DC
Inversores solares
Cargadores de batería
Controladores de motor
Calificaciones máximas (Tc = 25 \
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| f^DSmax | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | 1200 | V | u6d77 =0 V, /d=100 u5369 A | |
| Id | Corriente de drenaje continua | 42 | A | 4s=20 V Tc=25 °C | Fig. 18 |
| Pd | Disipación de potencia | 208 | W | *=25 °C | Fig. 19 |
| FgS,op | Recomendar Voltaje de Fuente de Puerta | -0.25 | V | ||
| J^Smax | Voltaje Máximo de Fuente de Puerta | -0.4 | V | AC (f>lHz) | Nota 1 |
| Tj, Tstg | Rango de Temperatura de Funcionamiento de la Unión y Almacenamiento | -55 a | "C | ||
| 175 | |||||
| 7l | Temperatura de soldadura | 260 | "C |
Características eléctricas
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| Estático | |||||||
| BVds | Voltaje de ruptura drenaje-fuente | 1200 | - | - | V | 4s=0 V, Zd=100 u5369 A | |
| A ) ss | Corriente de Drenaje de Voltaje de Puerta Cero | "— | 11 | 100 | 丁 s=1200 V Pgs=0 V | ||
| Igss | Fuga de compuerta-fuente | "— | 10 | 250 | nA | 4s=20 V | |
| FGS(th) | Voltaje umbral compuerta-fuente | 2 | "— | 4 | V | Id=5 mA, | Fig. 11 |
| &DS(on) | Drain-Source On-Resistance | "— | 78 | 100 | mQ | \ =20 V, Zd=20 A | Fig. 6 |
| Dinámico | |||||||
| Ciss | Capacitancia de entrada | "— | 1128 | PF | 4s=0 V, \ s=1000 V | Fig. 17 | |
| C^oss | Capacitancia de salida | "— | 86 | f^l.OMHz, u74dc =25 mV | |||
| Crss | Capacitancia de transferencia inversa | "— | 5 | ||||
| Eoss | Coss Stored Energy | - | 44 | u5369 J | Fig. 16 | ||
| Q s | Total Gate Charge | "— | 52 | nC | moo V | Fig. 12 | |
| figs | Carga Puerta-Fuente | - | 17 | u8840 =20 A | |||
| Qgd | Carga Puerta-Drenaje | - | 15 | Fgs=-5/+20 V | |||
| td(cn) | Tiempo de retardo de encendido | "— | 41 | ns | e4e9 s=800 V | ||
| tr | Tiempo de subida de encendido | - | 21 | Fgs=-5/+20 V | |||
| Tiempo de retardo de apagado | "— | 48 | Id=20A | ||||
| tf | Tiempo de caída de apagado | "— | 16 | Ro ( ext ) =2.5 Q | |||
| RG(int) | Resistencia interna de la compuerta | - | 4 | n | E.O MHz, Vac=25 mV | ||
Características de la diodo de cuerpo, a Tj=25°C, a menos que se indique lo contrario
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condiciones de prueba | Nota |
| Es | Corriente directa continua del diodo | - | - | 42 | A | Nota 1 | |
| Voltaje directo del diodo | - | 4 | - | V | Kjs=0 V, Zs=10 A | Fig. 8, | |
| 9,10 | |||||||
| trr | Tiempo de Recuperación Inversa | - | 26 | - | ns | 1s=20 A, u65e2) s=800 V | |
| 0r | Carga de Recuperación Inversa | - | 163 | - | nC | %s= u30fb 5 V | Nota 1 |
| Zrrm | Corriente Pico de Recuperación Inversa | 12 | A | di/dt=2100 A/us |
Características Térmicas
| Símbolo | Parámetro | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Nota |
| Rbjc | Resistencia Térmica de la Unión al Cárter | / | 0.68 | / | °C/W | Fig. 20 |
Esquemático del Circuito de Prueba
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