YZPST-T171-320-10
Características:
● Configuración de compuerta de amplificación central
● Encapsulación unida por compresión
● Capacidad alta de dV/dt
● Tipo de perno, rosca pulgadas o métrica
Aplicación
● Conmutación de potencia media
● Fuentes de alimentación de CC
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Símbolo |
Parámetro |
Valores |
Unidades |
Condiciones de Prueba |
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EN ESTADO ACTIVO |
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ITAV |
Corriente media en estado activo |
320 |
A |
Sinewave, conducción de 180°, Tc=84°C |
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ITRMS |
Valor RMS de la corriente en estado activo |
502 |
A |
Valor nominal |
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ITSM |
Pico de sobretensión de un ciclo
Corriente (no repetitiva)
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7 |
kA |
10.0 msec (50Hz), onda sinusoidal-
forma, conducción de 180°, Tj = 125 °C
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I2t |
I cuadrado t |
240 |
KA2s |
8.3 msec y 10.0 msec |
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IL |
Corriente de retención |
700 |
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
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IH |
Corriente de retención |
300 |
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
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VTM |
Voltaje pico en estado de encendido |
1.6 |
V |
ITM = 1005 A |
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di/dt |
Tasa crítica de aumento
de corriente en estado de encendido
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no repetitivo |
1000 |
A/ms |
Impulsión de compuerta 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, voltaje ánodo≥80% VDRM |
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repetitivo |
- |
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BLOQUEO |
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VDRM
VRRM
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Tensión repetitiva pico en estado de apagado
Tensión repetitiva pico inversa
|
1000 |
V |
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VDSM
VRSM
|
Tensión no repetitiva pico en estado de apagado
Tensión no repetitiva pico inversa
|
1100 |
V |
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IDRM
IRRM
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Corriente repetitiva pico en estado de apagado Corriente repetitiva pico inversa |
70 |
mA |
Tj = 100 oC ,VRRM VDRM aplicado |
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dV/dt |
Tasa crítica de aumento de voltaje |
500 |
V/ms |
TJ=TJmax, lineal al 80% de VDRM nominal |
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TRIGGEING |
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PG(AV) |
Disipación promedio de potencia en la compuerta |
3 |
W |
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PGM |
Disipación de potencia pico en la compuerta |
- |
W |
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IGM |
Corriente pico en la compuerta |
6 |
A |
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IGT |
Corriente de disparo de la compuerta |
250 |
mA |
TC = 25 oC |
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VGT |
Voltaje de disparo de la compuerta |
2.5 |
V |
TC = 25 oC |
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VGD |
Voltaje no de disparo de la compuerta |
0.6 |
V |
Tj = 125 oC |
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|
VT0 |
|
1.006 |
V |
Tj = 125 oC |
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rT |
|
0612 |
mΩ |
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SWITCHING |
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tq |
Tiempo de apagado |
125 |
ms |
ITM=320A, TJ=TJmax, di/dt=10A/μs,
VR=100V,dv/dt=50V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs
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td |
Tiempo de retardo |
- |
Corriente de compuerta A, di/dt=40A/μs,
Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC
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Térmico y Mecánico
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Símbolo |
Parámetro |
Valores |
Unidades |
Condiciones de Prueba |
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Tj |
Temperatura de operación |
-40~125 |
oC |
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Tstg |
Temperatura de almacenamiento |
-40~125 |
oC |
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R th (j-c) |
Resistencia térmica - unión a la carcasa |
0.085 |
oC/W |
Operación CC, enfriado de un solo lado |
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R th (c-s) |
Resistencia térmica - carcasa a disipador |
- |
oC/W |
Enfriado de un solo lado |
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P |
Fuerza de montaje |
- |
Nm |
± 10 % |
|
W |
Peso |
440 |
g |
acerca de |
-
ESQUEMA
YZPST puede proporcionar la siguiente lista equivalente de Tiristores de Control de Fase (Tipo Stud)
| Tipo | IT(AV) | VTM/ITM | VDRM VRRM | IDRM IRRM | IGT | VGT | dv/dt | Tjm | F | |
| A | V/A | V | mA | mA | V | V/gs | °C | |||
| KP5 | 5 | 2.2 | 15 | 300-1600 | 100 | 2.0 | 125 | |||
| KP20 | 20 | 2.2 | 60 | 300-1600 | 10 | 100 | 2.0 | 125 | 10Nm | |
| KP50 | 50 | 2.2 | 150 | 300-1600 | 15 | 100 | 2.0 | 500 | 125 | 16Nm |
| KPI 00 | 100 | 2.8 | 300 | 100-2200 | 20 | 200 | 2.5 | 500 | 125 | 33Nm |
| KP200 | 200 | 2.8 | 600 | 100-2200 | 25 | 200 | 2.5 | 500 | 125 | 4KN |
| KP300 | 300 | 2.8 | 900 | 100-2200 | 30 | 200 | 2.5 | 500 | 125 | 7KN |
| KP500 | 500 | 3.0 | 1500 | 100-2200 | 45 | 300 | 3.0 | 500 | 125 | 10KN |
